Marke | Ixys Corporation |
Produkt | IXFN170N30P |
Beschreibung | Diskretes Halbleitermodul |
Interner Code | IMP4919954 |
Technische Spezifikation | 138 Ampere 300 V 0,018 Rds |
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Hauptmerkmale des IXFN170N30P :
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DIODE-BRIDGE, 1PH, 1600V, 40A,
RECT-3 PHASE BRIDGE, 25A, 1800V
N-Kanal-Mosfet
Diskrete Halbleitermodule
MOSFET TrenchP Leistungs-MOSFET
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
Thrystor / Module
Diodenmodul; doppelte serielle; 1,6kV; 180A; TO240AA; If: 120A
POWER-MODUL DIODE
Thyristor
THYRISTOR, ELEMENT,
Brückengleichrichter
Thyristors MOD
SSR RELAIS
Tristör
DİYOT REKTİFİYER 3.4KV 240A
Leistungsmodul, Thyristor
Diodenmodul
THYRISTOR
Transist
MOSFET D2 Stromversorgungs-MOSFETs