Kaufen Sie IXFN55N50 von Ixys Corporation in Niederlande

Marke Ixys Corporation
Produkt IXFN55N50
Beschreibung Diskrete Halbleitermodule
Interner Code IMP4309833
Technische Spezifikation 55 Amps 500V 0.08 Rd s RoHS-konform Anzahl der Kanäle: 1 Channel Transistorpolung: N-Channel Abfallzeit: 45 ns Id - Drain-Gleichstrom: 55 A Pd - Verlustleistung: 625 W Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules Rds On - Drain-Source-Widerstand: 90 mOhms Anstiegszeit: 60 ns Verpackung ab Werk: 10 Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules Handelsname: HyperFET Regelabschaltverzögerungszeit: 120 ns Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 500 V

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Der IXFN55N50 ist so konzipiert, dass er in verschiedenen Anwendungen optimale Leistung und Haltbarkeit bietet. Bekannt für seine hochwertige Konstruktion und innovativen Funktionen, ist er die bevorzugte Wahl für Fachleute.

Hauptmerkmale des IXFN55N50 :

  • Hohe Leistung: Ingenieurtechnisch entworfen, um hervorragende Ergebnisse zu liefern.
  • Robuste Konstruktion: Aus hochwertigen Materialien für lang anhaltende Nutzung hergestellt.
  • Innovatives Design: Integriert die neueste Technologie für erhöhte Effizienz.
  • Kosteneffizient: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis zu wettbewerbsfähigen Preisen.

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